Baterije sa dužim vekom trajanja

Istraživači kompanije Infineon su testirali prve multi-gate finFET-ove izrađene u 65nm arhitekturi. 65nm strujna kola koja su testirali istraživači sadrže više od 3000 aktivnih tranzistora napravljenih u trodimenzionalnoj multi gate tehnologiji. Sa približno 30% manjim dimenzijama u poređenju sa trenutnim single gate tehnologijama sa istim funkcijama i performansama novi tranzistori imaju struju u stanju mirovanja, koja se takođe naziva i struja propuštanja faktora 10 ili manje. Prema istraživačima ovo će povećati energetsku efikasnost i produžiti vek trajanja baterija za potrabl uređaje do 2 puta u odnosu na današnja rešenja.