Fujitsu unapređeni ReRAM

Kompanija Fujitsu je obelodanila da radi na novom tipu nepromenljive ReRAM (Resistive RAM) memorije koja kombinuje nisku potrošnju energije i sa ograničenim kolebanjem vrednosti otpora. Dodavanjem titanijuma, nikal-oksid strukturi ReRAM-a, Fujitsu navodi da je uspeo da smanji trenutne potrebe za brisanjem memorije na 100mA ili manje. Istraživači su takođe uspeli da smanje kolebanje vrednosti napona za 90% kada se uporedi sa konvencionalnom ReRAM memorijom. Fujitsu pozicionira ReRAM kao alternativu Flash memoriji, a njena šansa se vidi u relativno jeftinoj izradi, minijaturnom dizajnu i 5ns operativnom vremenu.