
Modul od 8GB koji priprema SK Hynix kompanija, klokovana je na 3.73GHz, sa svakim čipom 4x2GB modulom, nudi protok do 29.8Gbps. Proces kojim je rađen je 21nm i koristiće se u nižem srednjem rangu telefona za razliku od 10nm-om tehnologijom koju koristi kompanija Samsung za module od 8GB.
Ovo je plan ekspanzije kompanije SK Hynix, takođe kompanija je uložila $1.8 milijardi u fabrička postrojenja u Južnoj Koreji gde će proizvoditi NAND flash memorije.