IBM menja pravce u magnetnoj memoriji

IBM se povezao sa Japanskim proizvođačem TDK radi razvoja tzv, memorije obrtnog transfera ili STT-RAM-a. U STT-RAM-u električna struja se primenjuje na magnet da bi promenila pravac magnetnog polja. Pravac magnetnog polja, odzodo na gore i sa leva na desno izaziva promenu otpornosti a različiti nivoi otpornosti registruju se kao 1s ili 0s. Prema trenutnom planu IBM i TDK će razviti 65nm prototip u narednih nekoliko godina. Prethodno je IBM radio na konvencionalnijim tipovima magnetske memorije naziva MRAM. Međutim, kompanija je imala velikih problema da smanji tranzistore na potrebnu veličinu koja bi odgovarala ovim čipovima.