Infineon Technologies je predstavila komercijalni na silikonu bazirani pojačivački proizvod niskog nivoa šuma (LNA), za koji kompanija tvrdi da će ponuditi bolji odnos cena/performnanse u poređenju sa Gallium Arsenide (GaAs) alternativama u pokušaju da proizvođačima mobilnih telefona obezbedi povinovanje 3GPP direktivama. Na 3GSM svetskom kongresu 2007, koji se održava u Barseloni Infineon je najavio dostupnost najnovijih LNA, BGA700L16 i BGA734L16 koji su bazirani na kombinaciji Infineon-ovog silicium germanium ugljenik procesa sa dodatnom karakteristikom niske otpornosti na kontaktu uzemljenja čipa.