Intel potvrdio 50nm DDR2 čipove

Kompanija Samsung je objavila da je njena DDR2 DRAM – industrijski najnaprednija DRAM, izrađena u 50nm tehnološkom procesu sertifikovana od korporacije Intel za rad sa Intel-ovim postojećim i čipsetovima sledeće generacije pri brzinama od 800Mbps. DDR2 memorija kapaciteta 1GB udvostručuje produktivnost DDR2 memorije istog kapaciteta proizvedene u 80nm tehnološkom procesu, dok postiže 50% bolje rezultate od memorije izrađene u 60nm procesu. Samsung-ova memorija izrađena u 50nm procesu će biti u masovnoj proizvodnji DDR2 memorije od prve polovine sledeće godine, kao i u sledećim generacijama DRAM memorije, uključujući DDR3, GDDR4 i GDDR5.