Micron Hybrid Memory Cube

Micron Technologies je ove nedelje najavila prvu DRAM memoriju koja je građena korišćenjem 3D tehnologije. Dok ova kompanija opisuje ovakvu vrstu čipova kao hybrid memory cube, takođe poznat i kao vertikalni DRAM, sturktura je takva da svaki sloj karakteriše 4Gb matrica i zatim četiri sloja za ukupni kapacitet od 2GB memorije za celu grupu. Micron tvrdi da je na ovaj način kompanija uspela da ostvari 160GB/s propusni opseg za čip. To je neverovatna brzina prenosa u poređenju sa 11GB/s koliko ostvaruje DDR3, odnosno 21-24GB/s koliko je u najavi za DDR4. Pored toga, potrošnja energije ovih čipova će biti za 70% manja nego kod konvencionalnog DRAM-a.