Prvi 56nm-ski Multi-Level Cell Flash čipovi

Provajder NAND Flash memorijskih čipova, kompanija SanDisk najavila je da očekuje da će ovog meseca isporučiti prve 56nm Multi-Level Cell Flash memorijske čipove u saradnji sa kompanijom Toshiba. Čipovi bi se proizvodili u 300mm wafer proizvodnom pogonu Toshiba-e, u blizini Nagoje. Do leta 2007-me SanDisk namerava da isporuči pojedinačne čipove MLC NAND flash memorije najveće trenutno moguće gustine. SanDisk planira da predstavi novi 8Gb (1GB) pojedinačni čip, MLC NAND Flash memorije izrađen u 56nm tehnološkom procesu, narednih nedelja, dok se u drugom kvartalu ove godine očekuju i MLC NAND Flash čipovi kapaciteta 16Gb (2GB).