Redakcija
Samsung 28-gigabit 3-bit cell flash
15.04.2013. @ 10:00 #Novost
Samsung Electronics najavio je da će početi sa proizvodnjom 128GB, 3-bitne Multi-Level-Cell NAND memorijskog čipa korišćenjem 10nm proizvodne tehnologije. Proizvodnja će biti pokrenuta u toku ovog meseca, a ovaj visoko napredni čip će omogućiti memorijska rešenja visoke gustine, kao što su ugrađeni NAND skladišni kapaciteti i solid state drajvovi. Izvršni potpredsednik kompanije Samsung, Young-Hyun Jun, navodi da će predstavljanje sledeće generacije skladišnih proizvoda kao što je 128Gb NAND čip ovom proizvođaču omogućiti da izađe u susret rastućim potrebama potrošača na globalnom nivou.