Samsung povećao gustinu flasha

Samsung Semiconductor nastavlja da povećava količinu podataka koji mogu stati na solid-state drajv, pa je tako početkom nedelje najavljena nova generacija njihove V-NAND tehnologije koja će pomoći u smanjenju troškova i potrošnje električne energije flash-a. Prva 3-bitna verzija njihovog 3D V-NAND (Vertical NAND) flash-a ima mogućnost upakivanja još jednog bita podataka na svaki sloj tehnologije slaganja. Bob Brennan, potpredsednik Samsung Semiconductor laboratorije za memorijska rešenja, očekuje da će se drajvovi sa ovom tehnologijom na tržištu pojaviti krajem ove godine.