Samsung Electronics je objavio da je razvio u industriji prvu DDR2 DRAM kapaciteta 2GB koja je izrađena u 60nm tehnološkom procesu. U poređenju sa DDR2 kapaciteta 2GB izrađenom u 80nm tehnološkom procesu, nova memorija poseduje brzinu prenosa podataka od 800Mbps čime je postignuto unapređenje od 20%. Pored poboljšane efikasnosti nova memorija pruža dvostruko veći kapacitet skladištenja u poređenju sa postojećim memorijskim rešenjima. Nova memorija je namenjena za primenu u serverima, radnim stanicama i notebook-ovima kod kojih je brzina rada glavna briga. Memorija kompanije Samsung troši oko 30% manje energije u odnosu na starije module.