Samsung proizvodi 20nm 4GB DDR3 memoriju

Samsung je najavio početak masovne proizvodnje svoje najnaprednije DDR3 memorije koja je bazirana na 20nm tehnologiji procesa za upotrebu u širokom psektru računarskih primena. Samsungova modifikovana tehnologija dvostrukog šablona je označila novi proboj u razvoju omogućavajući da se za proizvodnju 20nm DDR3 koristi trenutna tehnologija fotolitografije i trenutna oprema pri čemu je istovremeno obezbeđena osnova tehnologije za narednu generaciju proizvodnje DRAM modula izrađenih u 10nm tehnološkom procesu. Samsung je uspešno kreirao ultra tanke dielektrične slojeve ćelija kondenzatora do sada neviđene uniformnosti.