Samsung razvio prvi 50nm DRAM čip

Samsung Electronics je objavio da je razvio prvi industrijski 50nm DDR2 DRAM čip koji će uvećati proizvodnu efikasnost u odnosu na 60nm tehnologiju za 55%. Novi 1Gb DRAM inkorporiše trodimenzionalni dizajn tranzistora i višeslojnu tehnologiju dielektrika, za koji Samsung tvrdi da veoma unapređuje performanse i mogućnosti skladištenja podataka. Prema kompaniji ključ efikasnosti proizvodnje je u novorazvijenoj 50nm tehnologiji koja će svoju primenu naći u širokom opsegu DRAM čipova koji uključuju grafičke DRAM čipove kao i one za mobilne uređaje. Masovna proizvodnja se očekuje u 2008-oj godini.