Samsung TSV DRAM

Kompanija Samsung tvrdi da je razvila prvi TSV DRAM skup memorijskih čipova koji bi uskoro mogli da dovedu do pojave memorijskih modula kapaciteta 4GB za mainstream tržište. Komanijin wafer-level-procesed skup (WSP) se sastoji od četiri DDR2 čipa kapaciteta 512MB što zajedno čini jedan modul kapaciteta 2GB. Samsung tvrdi da korišćenjem iste tehnologije bi mogao da kreira i DIMM-ove bazirane na WSP i TSV tehnologijama kapaciteta 4GB. Samsung kao i Intel i IBM koji su najavili slične TSV tehnologije planira da probuši sićušne otvore kroz čipove koje će ispuniti bakrom radi kreiranja provodne „through silicon via“ tehnologije.