Uprkos DRAM dominantnosti, japanska kompanija Toshiba i južno korejska kompanija Hynix Semiconductor potpisali su dogovor o saradnji sa ciljem da se formira partnerstvo i saradnja na polju razvoja i proizvodnje Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory, MRAM. U pitanju je memorijsko rešenje koje skladišti podatke reorijentisanjem magnetizacije tankog magnetnog sloja. Ovaj pristup je energetski efikasniji nego DRAM, tako da će on biti savršen za buduće mobilne uređaje. Toshiba i Hynix još uvek nisu objavili nikakve konkretne datume kada bi se novi proizvodi mogli očekivati.