TSMC testira EUV na 7nm

Kompanija TSMC je ranije govorila o korišćenju ekstremne ultraljubičaste litografije za svoj u naprednu 10nm tehnologiju ali se proizvodi koji bi bili izrađeni korišćenjem ove tehnologije nikada nisu pojavili. Sada međutim stiže informacija da bi pomenuta tehnologija mogla da se koristi za izradu delova nastalih 7nm tehnološkim procesom. Prema informacijama koje su dostupne EUV skeneri imaju lasere koji koriste 13nm talasnu dužinu koji omogućavaju kreiranje čipova mnogo finijih karakteristika. EUV će eliminisati potrebu za višešabloniranjem, čime će biti smanjeno vreme ciklusa izrade i pomoći će se da broj ispravno izrađenih delova bude mnogo veći.